晶圆级范德华接触侦测器研究获进展

昨日，吉林大学内南京微系统与信息关键技术数据分析所信息功能塑料发达国家重点实验室狄增峰数据分析的团队基于锗基纳米薄膜开发出电子元件级镀层电阻模组转印关键技术，在二维塑料与镀层电阻的周边地区无损范德华内嵌数据分析多方面取得进展。5年底23日，关的数据分析成果以 Graphene-assisted metal transfer printing for wafer-scale integration of metal electrodes and two-dimensional materials 中曾，发表在《连续性-电子学》（ Nature Electronics ）上。

基于新结构和新原理的二维太阳能电池电子器件展现出广泛的应用于前景，有望补救硅基电子器件在极限尺寸下面临的难题。然而，二维塑料原子级厚度使其在太阳能电池精良MOS中显得过分脆弱。同样在镀层电阻生长塑料中，溅射离子轰击、残留药理学污染、较高塑料温度等诱因仅易对二维塑料造成损伤或无意掺杂，形成非理想镀层/二维太阳能电池GUI，使二维太阳能电池电子器件实际性能指标与预期性能指标存在差异。因此，针对入门级指标二维太阳能电池电子器件研制，亟需发展一种有着普适性的电阻制作塑料，能够实现可任意镀层与二维塑料的高质量伏特或肖特基带入。

南京微系统所狄增峰数据分析的团队与合作者，报道了一种纳米辅助镀层电阻转印关键技术。该关键技术以锗基纳米电子元件作为预石灰岩薄膜生长镀层电阻模组，并利用纳米与镀层之间不强的范德华作用力，实现了可任意镀层电阻模组（如铜、银两、金、锰、钇和铬）无损移到，移到成功率达到100%，移到占地面积达到4英寸。原子力光学、曲率扫描透射电镜证明了剥离后的镀层表面呈现无缺点的原子级疏松。铜、银两、金、锰、钇和铬六种镀层电阻模组仅可以转印至二硫化钼（Mo S2 ）基极塑料上，形成理想的镀层/太阳能电池GUI，并观测到理论计算下的肖特基势垒高度基因表达道德上。更进一步，数据分析通过选取功函数归一化的镀层电阻，制取出低带入线圈的Mo S2 电子器件电子器件模组。Mo S2 电子器件电子器件模组有着较佳的性能指标理论上，开关比超过 106 。

随着内嵌电路逐步离开非硅时代，开发适用于二维塑料的太阳能电池精良MOS塑料需求颇为迫切。数据分析报道的纳米辅助镀层电阻模组转印关键技术和电子元件级范德华带入模组，有望广泛引入入门级指标二维塑料电子器件和电路制造，为升级版范德华集电路的实现包括关键技术十分困难偏移。

中韩浦项科学关键技术院内科研人员同期在 Nature Electronics 上发表评论文章（ Integrating 2D materials and metal electrodes ）评价道，“纳米辅助镀层移到关键技术包括了一个合理的制造电子元件级范德华镀层-太阳能电池带入的平台，有望引入入门级指标电子和光电子电子器件的开发”。

数据分析成果得到科技部、发达国家连续性科学基金委员会、中科院内、南京市科学关键技术委员会等的支持。中科院内南京关键技术物理所科研人员参与数据分析。

图1.a、纳米辅助镀层转印关键技术流程；b、4英寸金电阻转印模组剧照

图2.a、批量制取的银两移到电阻Mo S2 背栅表征电子器件模组剧照；b、10×10电子器件模组开关比统计分析结果；c、银两移到电阻Mo S2 背栅表征电子器件移到特性；d、银两移到电阻Mo S2 背栅表征电子器件输出特性曲线

可能：吉林大学内南京微系统与信息关键技术数据分析所