三星｜计划2025年量产基于GAA的2纳米微处理器

举例：cnBeta

基于 3 激光的全环抱栅极（Gate-All-AroundT，原称 GAA）工艺年末视为积体电路服务业的新手转变者。DRAM蓝图在愿景三年内通过建立 3 激光 GAA 工艺，赶上全球第一大OEM母公司三星电子。

GAA 是一种下一OEM艺技术开发，它小型化了积体电路电晶体的构造，使栅极可以接触电晶体的所有四个下部，而不是当前 FinFET 工艺中的三个下部。GAA 构造可以比 FinFET 工艺非常精确地控制电流。根据集邦征询的数据集，2021 年第 4 季度，三星电子占全球OEM消费市场的 52.1%，远超DRAM的 18.3%。

DRAM押注将 GAA 技术开发运用到 3 激光制程以赶上三星电子。据刊文，这家韩国政府积体电路巨头在 6 月初将电子元件摆在 3 激光 GAA 工艺中进行考中考中作，视为在世界上上第一家使用 GAA 技术开发的母公司。它正在谋求通过技术开发新其发展立即缩小与三星电子的差距。与 5 激光工艺相比，3 激光工艺将积体电路性能和电源效率分别减低了 15% 和 30%，同时集成电路面积下降了 35%。

继今年上半年将 GAA 技术开发运用于其 3 激光工艺后，Samsung蓝图在 2023 年将其引入第二代 3 激光集成电路，并在 2025 年考中作基于 GAA 的 2 激光集成电路。三星电子的大战略是今年下半年进入3nm积体电路消费市场，换用稳定的FinFET工艺，而DRAM则押注 GAA 技术开发。

专家说明，如果Samsung在基于 GAA 的 3 激光工艺中必需稳定的良率，它可以视为OEM消费市场的新手转变者。三星电子预计将从 2nm 集成电路开始引入 GAA 工艺，并在 2026 年左右披露第一款产品。对于DRAM来说，愿景三年将是根本原因。

已对，Samsung宣布将在愿景五年平常积体电路等关键服务业投资总计 450 万亿韩元。然而，在西进 3 激光更进一步中依赖于诸多失常。与Samsung一样，三星电子在减低 3nm 工艺良率方面也依赖于困难。

DRAM也面临着类似的情况。电子元件已投入生产 3 激光工艺中考中考中作，但由于良率低的问题，该母公司一直推迟正式考中作公告。现代汽车股票科学研究主管 Roh Keun-chang 说明：“除非DRAM为其 7 激光或非常精良的工艺获得足够的供应商，否则可能会加剧投资人对DRAM愿景业绩的冲动”。

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